Компания Samsung Electronics заявила о запуске массового производства первой в отрасли так называемой трёхмерной вертикальной NAND-памяти (Vertical NAND, V-NAND). Новинка, как утверждают разработчики, превосходит существующие решения по масштабируемости, а также позволит добиться увеличения производительности.
V-NAND-память может использоваться в потребительской электронике и корпоративных приложениях, в том числе, встраиваемой NAND-памяти и SSD-накопителях. Новые чипы характеризуются ёмкостью 128 Гбит и используют структуру вертикальных ячеек, а также технологию 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные межсоединения, пронизывающие трёхмерный массив ячеек.
На протяжении сорока лет традиционная память выпускалась на базе плоских структур с использованием плавающих затворов. С уменьшением проектных норм до 10-нм порядков, что приблизило NAND к границе масштабируемости, возникла потребность в создании принципиально новых решений. В своей архитектуре Samsung использует для временного хранения заряда непроводящий слой силикона нитрида вместо традиционного плавающего затвора, что позволило избежать интерференции между соседними ячейками при прецизионных проектных нормах. CFT-технология позволила увеличить надежность работы памяти (в 2-10 раз) и скорость (в два раза). В одном чипе компания может объединить до 24 вертикальных слоев.
Samsung исследует 3D Vertical NAND уже около десяти лет. За это время она подала более трёхсот заявок на регистрацию патентов. Свою новинку компания называет первым в отрасли решением такого типа.
Информационно - развлекательный портал softolab.com.
При копировании материалов с сайта активная индексируемая ссылка на сайт softolab.com ОБЯЗАТЕЛЬНА.
Сайт оптимизирован для просмотра в браузерах Mozilla Firefox и Opera при разрешении экрана 1280x1024
Copyright SOFTOLAB 2010-2025
